單晶硅屬于強(qiáng)光板，在強(qiáng)光下發(fā)電快，多晶硅屬于弱光板，在弱光的情況下發(fā)電效果好。單晶硅發(fā)電多指的是在單位面積的情況下，比如在一平方米，單晶硅的功率發(fā)電是200瓦，多晶硅發(fā)電是180瓦。但是，100瓦的多晶硅和100瓦的單晶硅，它倆發(fā)電效果是一樣的，對(duì)于客戶來(lái)說(shuō)，你家的面積有的是，你就不用計(jì)較單晶硅或多晶硅了。

     單晶硅是一種具有基本完整的點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)的晶體，不同的方向具有不同的性質(zhì)，是一種良好的半導(dǎo)材料。純度要求達(dá)到99.9999%，甚至達(dá)到99.9999999%以上。多晶硅：是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過(guò)冷條件下凝固時(shí)，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長(zhǎng)成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來(lái)，就結(jié)晶成多晶硅。單晶硅的性能優(yōu)于多晶硅。硅系列太陽(yáng)能電池中，單晶硅大陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率較高，技術(shù)也較為成熟。單晶硅電池是建立在高質(zhì)量單晶硅材料和相關(guān)的成熱的加工處理工藝基礎(chǔ)上的。現(xiàn)在單晶硅的電地工藝己近成熟，在電池制作中，一般都采用表面織構(gòu)化、發(fā)射區(qū)鈍化、分區(qū)摻雜等技術(shù)，開(kāi)發(fā)的電池主要有平面單晶硅電池和刻槽埋柵電較單晶硅電池。 提高轉(zhuǎn)化效率主要是靠單晶硅表面微結(jié)構(gòu)處理和分區(qū)摻雜工藝。德國(guó)夫朗霍費(fèi)費(fèi)萊堡太陽(yáng)能系統(tǒng)研究所保持著世界良好水平。該研究所采用光刻照相技術(shù)將電池表面織構(gòu)化，制成倒金字塔結(jié)構(gòu)。并在表面把一13nm。厚的氧化物鈍化層與兩層減反射涂層相結(jié)合．通過(guò)改進(jìn)了的電鍍過(guò)程增加?xùn)泡^的寬度和高度的比率：通過(guò)以上制得的電池轉(zhuǎn)化效率*過(guò)23%，是大值可達(dá)23．3％。

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